科技成果转化公示

来源: 时间:2026-09-22

根据国家、四川省和我校成果转化的相关规定,对“一种利用可逆剪切流在溶液中生长晶体的装置及方法”和“一种溶液晶体生长质量预测及运动控制方法”2项成果转化相关事项公示如下:

一、 一种利用可逆剪切流在溶液中生长晶体的装置及方法

知识产权类型:发明专利

发明人:周川;李明伟;尹华伟;刘杭;杜阳晔

专利号:ZL 2024 1 1183187.3

专利权人:宜宾学院

成果简介:本发明公开了一种利用可逆剪切流在溶液中生长晶体的装置及方法,涉及人工晶体生长技术领域,包括生长溶液池,还包括设置于生长溶液池两侧的溶液管,设置于生长溶液池与溶液管的连接处设置有泵,能上下移动的托台机构,设置于托台机构的上方且两端与溶液管相连通的剪切流通道,设于托台机构的四周侧面的隔离罩。本发明可实现整个晶面形成理论中的“可逆剪切流”,适用于从几厘米到几十厘米不同口径的晶体,同时由于晶体固定在晶体托台上,未在溶液中运动,可最大程度减少由于机械运动带来的晶体开裂问题。

成果转化方式:普通许可

许可价格:3万元

许可期:3年

定价方式:协议定价

价格形成过程:经全体完成人和学校同意,并与受让方协商。

受让方:重庆秉方科技有限公司

税号:91500106582838320F

二、一种溶液晶体生长质量预测及运动控制方法

知识产权类型:发明专利

发明人:周川;李明伟;尹华伟;刘杭;杜阳晔

专利号:ZL 2024 1 1165552.8

专利权人:宜宾学院

成果简介:本发明公开了一种溶液晶体生长质量预测及运动控制方法,主要解决现有晶体生长预测方法对晶体生长质量预测效果不佳的问题。包括以下步骤:S1,创建晶体生长系统三维物理模型,并对三维物理模型进行网格离散化,相邻离散点距离设为L;S2,获得晶面溶质浓度场;S3,获得晶面一系列台阶列;S4,根据晶面台阶列的相邻台阶间距和弯曲程度对晶面台阶列形貌稳定性进行分析;判断晶面形貌是否稳定;S5,若得出晶面形貌稳定结论,则表示给定的运动模式符合要求,能保证高质量晶体的生长;若得出晶面形貌失稳结论,则重新给定运动方式,按步骤S1-S4重新进行评估。本发明可以对给定生长环境和运动方式下,直接对晶面形貌稳定性进行分析,预测是否会发生形貌失稳现象。

成果转化方式:普通许可

许可价格:3万元

许可期:3年

定价方式:协议定价

价格形成过程:经全体完成人和学校同意,并与受让方协商。

受让方:重庆秉方科技有限公司

税号:91500106582838320F

特此公示,公示期15日,自2026年9月22日起至 2026年10月6日。如有异议,请于公示期内以书面形式实名向我处反映。


联系人:龙元章

联系电话:3531060

                                                                       科研处

2026年9月22日